Более 10 лет успешной работы
Собственный склад и производство
Прямые поставки из Китая
Доставка в любые регионы России и мира

Работа флеш-памяти

Принцип работы флэш-память достаточно прост: тип элементов, позволяющих устройству хранить информацию очень похож на память EEPROM, но есть и отличительные черты, которые дают возможность отнести флэш-память в отдельный класс. Флеш-память является завершающим этапом разработок схемотехники запоминающих устройств, которые длились почти десять лет. Электрическое стирание информации предполагает, что стираться будут не определенные слова, а вся память целиком или же удаление больших информационных блоков. Такая характеристика позволила разработчикам ускорить быстродействие и заметно снизить цены на запоминающие устройства. Схемы флеш-памяти выполняются качественно, за счет чего пользователи могут наблюдать улучшенные параметры.
 
Такое название, как флэш-память устройство получило в связи со своей возможностью одновременно стирать большие объемы информации, такое свойство характерно только для памяти типа флэш. В истории технологии есть такой факт, что раньше существовали устройства, моментально стирающие память при попытке несанкционированного доступа к информации, они назывались английским словом Flash, что означает вспышка или мгновение. Таким образом, можно сказать, что название перешло к современным устройствам от их предков за способность удаления всего массива информации или ее больших блоков всего одним сигналом.
 
Помимо такой полезной функции как удаление больших информационных блоков одним сигналом, существует и значительный недостаток запоминающих устройств: при замене даже одного слова необходимо стирание и перезапись для всего устройства. Поэтому такое свойство полезно лишь в отдельных случаях. Для того, чтобы сделать запоминающие устройства более функциональными разработчики потрудились создать такой вид, как схемы, разделяющие информацию. Такие устройства удалять весь информационный массив на независимые блоки, таким образом, стирание одного из них не требует перезаписи другого, при этом объем устройств может быть как 256 байт, так и 128 Кбайт.
 
Количество циклов для программирования запоминающих устройств довольно велико, но все же не бесконечно. Но разработчики не упустили этот момент, и предлагают использовать специальные алгоритмы, которые разравнивают число перезаписей и распределяют его на все блоки. В зависимости от области применения флэш-память может иметь архитектурные и схематические особенности. Основным способом
 
эффективного использования запоминающих устройств является хранение данных, которые не предполагают частых изменений. Также хорошим способом остается хранение информации на магнитных дисках. Для хранения данных, которые не часто изменяются циклы записи и стирания отходят на второй план, а главными параметрами становятся емкость и скорость считывания данных. В таком случае не важно, каким будет стирание: полно объемным или блочным. Некоторые схемы, которые имеют свойство блочного стирания, оснащены специальными блоками, именуемыми несимметричными блочными структурами.